
MOCVD
MOCVD即金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀,是在氣相外延生長(zhǎng)(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)。錸因其優(yōu)異的高溫性能,作為MOCVD的關(guān)鍵加熱部件使用。相比其它材料,純錸加熱部件具有電學(xué)性能更優(yōu)、壽命更長(zhǎng)、更耐惡劣工作氣氛的顯著特點(diǎn)而受到用戶的青睞。
純度:≥99.99%
MOCVD雜質(zhì)含量表
元素  | 含量 (≤,%)  | 元素  | 含量 (≤,%)  | 元素  | 含量 (≤,%)  | 
Na  | 0.0005  | Ni  | 0.0001  | Bi  | 0.0001  | 
Mg  | 0.0001  | Cu  | 0.0001  | Co  | 0.0001  | 
Al  | 0.0001  | Zn  | 0.0005  | Fe  | 0.0005  | 
Si  | 0.0005  | As  | 0.0001  | Pb  | 0.0001  | 
P  | 0.0005  | Zr  | 0.0001  | Mn  | 0.0001  | 
K  | 0.0005  | Mo  | 0.0005  | W  | 0.0005  | 
Ca  | 0.0005  | Cd  | 0.0001  | Cr  | 0.0001  | 
Ti  | 0.0001  | Sn  | 0.0001  | Ta  | 0.0001  | 
V  | 0.0001  | Sb  | 0.0001  | ——  | ——  | 
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